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6797116Imagem IPB80N06S208ATMA2.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S208ATMA2

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Disponível
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$1.026
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IPB80N06S208ATMA2
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IPB80N06S208ATMA2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PG-TO263-3-2
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    7.7 mOhm @ 58A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    215W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Outros nomes
    SP001067884
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2860pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    55V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 55V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
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Disponível
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IPB80N06S2L07ATMA3

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Disponível
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IPB80N06S2L06ATMA2

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