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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB80N06S3L-05

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Imagem IPB80N06S3L-05.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S3L-05

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPB80N06S3L-05
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPB80N06S3L-05.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 115µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO263-3-2
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.5 mOhm @ 69A, 10V
Dissipação de energia (Max)

165W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IPB80N06S3L-05INCT
IPB80N06S3L05
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13060pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

273nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

55V
Descrição detalhada

N-Channel 55V 80A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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