International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N08S406ATMA1

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1000+

$1.326

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Especificações

Modelo do Produto

IPB80N08S406ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPB80N08S406ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO263-3-2
Série

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)

150W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

SP000984296
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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IPB80N06S4L05ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Disponível

IPB80N08S406ATMA1

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