International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD122N10N3GBTMA1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPD122N10N3GBTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPD122N10N3GBTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 46µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO252-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

12.2 mOhm @ 46A, 10V
Dissipação de energia (Max)

94W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

IPD122N10N3 G
IPD122N10N3 G-ND
IPD122N10N3 GTR-ND
IPD122N10N3G
IPD122N10N3GBTMA1TR
SP000485966
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

59A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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