International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R1K4CEBTMA1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPD50R1K4CEBTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPD50R1K4CEBTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 70µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO252-3
Série

CoolMOS™ CE
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Dissipação de energia (Max)

25W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CECT-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

178pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

13V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.1A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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IPD50N12S3L15ATMA1

Descrição: MOSFET N-CHANNEL_100+

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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