International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD70N10S312ATMA1

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Disponível

2500+

$0.808

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Especificações

Modelo do Produto

IPD70N10S312ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPD70N10S312ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO252-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

11.1 mOhm @ 70A, 10V
Dissipação de energia (Max)

125W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

IPD70N10S3-12
IPD70N10S3-12-ND
IPD70N10S3-12TR
IPD70N10S3-12TR-ND
IPD70N10S312
IPD70N10S312ATMA1TR
SP000427248
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4355pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "IPD70N10S312ATMA1" produtos relacionados.

IPD65R650CEATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Disponível

IPD70N10S312ATMA1

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