Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPD80R900P7ATMA1
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
809357Imagem IPD80R900P7ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R900P7ATMA1

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$1.55
10+
$1.373
100+
$1.085
500+
$0.841
1000+
$0.664
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IPD80R900P7ATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IPD80R900P7ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 110µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PG-TO252-3
  • Série
    CoolMOS™ P7
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    900 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    45W (Tc)
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    IPD80R900P7ATMA1CT
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 500V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    800V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 800V 6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24/10/2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10/10/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "IPD80R900P7ATMA1" produtos relacionados.
IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R4K5P7ATMA1

IPD80R4K5P7ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R750P7ATMA1

IPD80R750P7ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD90N04S405ATMA1

IPD90N04S405ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R600P7ATMA1

IPD80R600P7ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD90N04S3H4ATMA1

IPD90N04S3H4ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD90N03S4L03ATMA1

IPD90N03S4L03ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD90N04S304ATMA1

IPD90N04S304ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD85P04P407ATMA1

IPD85P04P407ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD90N04S402ATMA1

IPD90N04S402ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD85P04P4L06ATMA1

IPD85P04P4L06ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.