IPL65R1K0C6SATMA1

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Disponível

5000+

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Especificações

Modelo do Produto

IPL65R1K0C6SATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 8TSON
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPL65R1K0C6SATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

Thin-PAK (5x6)
Série

CoolMOS™ C6
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

34.7W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

SP001163084
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

328pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 4.2A (Tc) 34.7W (Tc) Surface Mount Thin-PAK (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.2A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "IPL65R1K0C6SATMA1" produtos relacionados.

IPL60R650P6SATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Disponível

IPL65R1K0C6SATMA1

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