International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP65R660CFDXKSA1

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Especificações

Modelo do Produto

IPP65R660CFDXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPP65R660CFDXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO-220-3
Série

CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

660 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

62.5W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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Descrição: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPP65R660CFDXKSA1

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