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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPS031N03L G

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Imagem IPS031N03L G.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS031N03L G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPS031N03L G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPS031N03L G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO251-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.1 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

94W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Outros nomes

IPS031N03LGIN
IPS031N03LGXK
SP000256160
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

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