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Imagem IRF1018ESPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1018ESPBF

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

1000+

$0.804

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF1018ESPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF1018ESPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.4 mOhm @ 47A, 10V
Dissipação de energia (Max)

110W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

SP001561450
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

79A (Tc)

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