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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF1405STRR

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Imagem IRF1405STRR.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1405STRR

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF1405STRR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRF1405STRR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.3 mOhm @ 101A, 10V
Dissipação de energia (Max)

200W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

SP001564256
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5480pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

55V
Descrição detalhada

N-Channel 55V 131A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

131A (Tc)

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