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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF3707L

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Imagem IRF3707L.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3707L

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF3707L
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRF3707L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-262
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

12.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

87W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes

*IRF3707L
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

62A (Tc)

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