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Imagem IRF3711STRLPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3711STRLPBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF3711STRLPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF3711STRLPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.1W (Ta), 120W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IRF3711STRLPBF-ND
IRF3711STRLPBFTR
SP001564410
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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