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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF6628TRPBF

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Imagem IRF6628TRPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6628TRPBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF6628TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF6628TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DIRECTFET™ MX
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.5 mOhm @ 27A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.8W (Ta), 96W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

DirectFET™ Isometric MX
Outros nomes

IRF6628TRPBFCT
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

27A (Ta), 160A (Tc)

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