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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF6726MTR1PBF

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Imagem IRF6726MTR1PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6726MTR1PBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF6726MTR1PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF6726MTR1PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DIRECTFET™ MT
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.7 mOhm @ 32A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

DirectFET™ Isometric MT
Outros nomes

IRF6726MTR1PBFTR
SP001525440
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6140pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

32A (Ta), 180A (Tc)

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