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Imagem IRF7453TRPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7453TRPBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF7453TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF7453TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

230 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

IRF7453PBFTR
IRF7453TRPBF-ND
IRF7453TRPBFTR-ND
SP001555350
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

250V
Descrição detalhada

N-Channel 250V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

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