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Imagem IRF7799L2TR1PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7799L2TR1PBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF7799L2TR1PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF7799L2TR1PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DIRECTFET L8
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

38 mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max)

4.3W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

DirectFET™ Isometric L8
Outros nomes

IRF7799L2TR1PBFTR
SP001560006
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6714pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

250V
Descrição detalhada

N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

375A (Tc)

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