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Imagem IRF7807VD2.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807VD2

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF7807VD2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRF7807VD2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

FETKY™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

25 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

*IRF7807VD2
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.3A (Ta)

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