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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF7855PBF

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Imagem IRF7855PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7855PBF

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10+

$1.648

100+

$1.325

500+

$1.03

1000+

$0.854

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF7855PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF7855PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

9.4 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SP001575224
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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