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Imagem IRFB3207ZGPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB3207ZGPBF

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Disponível

1+

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10+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFB3207ZGPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFB3207ZGPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.1 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

SP001554560
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6920pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

75V
Descrição detalhada

N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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