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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFB4620PBF

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Imagem IRFB4620PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4620PBF

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Disponível

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10+

$2.463

100+

$1.979

500+

$1.54

1000+

$1.276

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFB4620PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFB4620PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

72.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

144W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

SP001563998
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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