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Imagem IRFH5255TR2PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5255TR2PBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFH5255TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFH5255TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PQFN (5x6)
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.6W (Ta), 26W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

IRFH5255TR2PBFCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

988pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 15A (Ta), 51A (Tc) 3.6W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 51A (Tc)

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