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Imagem IRFH7936TR2PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH7936TR2PBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFH7936TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFH7936TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PQFN (5x6)
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.1W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

IRFH7936TR2PBFCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2360pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 20A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 54A (Tc)

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