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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFH8334TRPBF

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Imagem IRFH8334TRPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH8334TRPBF

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Disponível

4000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFH8334TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFH8334TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PQFN (5x6)
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

9 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.2W (Ta), 30W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

IRFH8334TRPBFTR
SP001577860
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 14A (Ta), 44A (Tc) 3.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 44A (Tc)

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