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IRFR8314TRPBF

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2000+
$0.65
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IRFR8314TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IRFR8314TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    D-PAK (TO-252AA)
  • Série
    HEXFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.2 mOhm @ 90A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    125W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    IRFR8314TRPBFTR
    SP001565102
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4945pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    54nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
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Envio
Pagamento
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