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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFS31N20DPBF

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Imagem IRFS31N20DPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFS31N20DPBF

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Disponível

1+

$2.67

10+

$2.411

100+

$1.938

500+

$1.507

1000+

$1.249

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFS31N20DPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFS31N20DPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

82 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.1W (Ta), 200W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

*IRFS31N20DPBF
SP001567562
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

31A (Tc)

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