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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFU3711

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Imagem IRFU3711.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFU3711

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFU3711
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRFU3711.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

IPAK (TO-251)
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 120W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes

*IRFU3711
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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