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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRL8113S

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Imagem IRL8113S.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL8113S

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRL8113S
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRL8113S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6 mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max)

110W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

*IRL8113S
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2840pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

105A (Tc)

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