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IRLR4343

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IRLR4343
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    IRLR4343.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    D-Pak
  • Série
    HEXFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    50 mOhm @ 4.7A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    79W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    *IRLR4343
    SP001578804
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    55V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 55V 26A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    26A (Tc)

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