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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI4410DY
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5752999Imagem SI4410DY.International Rectifier (Infineon Technologies)

SI4410DY

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI4410DY
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    SI4410DY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    HEXFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    13.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    2.5W (Ta)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    *SI4410DY
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1585pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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Envio
Pagamento
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SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4410DY,518

SI4410DY,518

Descrição: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Disponível
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4411DY-T1-E3

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Descrição: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4410DYPBF

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4404DY-T1-GE3

SI4404DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4408DY-T1-E3

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Descrição: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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Descrição: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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SI4410DY

SI4410DY

Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
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