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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI4435DYTR
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3908302Imagem SI4435DYTR.International Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DYTR

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI4435DYTR
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    SI4435DYTR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    HEXFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    2.5W (Ta)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

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Envio
Pagamento
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
SI4438-C2A-GM

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Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
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SI4434ADY-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Descrição: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
SI4438-B1C-FM

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Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

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Descrição: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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SI4438-C2A-GMR

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Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
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SI4435BDY-T1-E3

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Descrição: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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Descrição: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
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Descrição: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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SI4436DY-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4438DY-T1-E3

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4434DY-T1-E3

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Descrição: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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SI4435DYTRPBF

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Descrição: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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SI4436DY-T1-E3

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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