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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SPB02N60C3ATMA1

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Imagem SPB02N60C3ATMA1.

International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB02N60C3ATMA1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SPB02N60C3ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

SPB02N60C3ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO263-3-2
Série

CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

25W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3ATMA1TR
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.8A (Tc)

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