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Imagem SPB80N03S2L05T.

International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB80N03S2L05T

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SPB80N03S2L05T
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SPB80N03S2L05T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 110µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO263-3-2
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.9 mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max)

167W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

SP000016255
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3320pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

89.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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