International Rectifier (Infineon Technologies)

SPD30N03S2L10GBTMA1

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Especificações

Modelo do Produto

SPD30N03S2L10GBTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SPD30N03S2L10GBTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO252-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

100W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
SPD30N03S2L10GBTMA1TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

41.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.

O seguinte é "SPD30N03S2L10GBTMA1" produtos relacionados.

SPD25N06S2-40

Descrição: MOSFET N-CH 55V 29A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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