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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SC5876T106Q

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6414562

Imagem 2SC5876T106Q.

LAPIS Semiconductor

2SC5876T106Q

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15000+

$0.128

30000+

$0.126

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SC5876T106Q
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 60V 0.5A SOT-323
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SC5876T106Q.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT3
Série

-
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

2SC5876T106QTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

300MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 500mA 300MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA
Número da peça base

2SC5876

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