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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SD2661T100

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3259854

Imagem 2SD2661T100.

LAPIS Semiconductor

2SD2661T100

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SD2661T100
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 12V 2A MPT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.2SD2661T100.pdf
2.2SD2661T100.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

180mV @ 50mA, 1A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

MPT3
Série

-
Power - Max

2W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-243AA
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

360MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 2A 360MHz 2W Surface Mount MPT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A

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