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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTA043EUBTL

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6240022

Imagem DTA043EUBTL.

LAPIS Semiconductor

DTA043EUBTL

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTA043EUBTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTA043EUBTL.pdf
2.DTA043EUBTL.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT3F
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SC-85
Outros nomes

DTA043EUBTLCT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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