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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTA114GKAT146

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Imagem DTA114GKAT146.

LAPIS Semiconductor

DTA114GKAT146

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTA114GKAT146
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DTA114GKAT146.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMT3
Série

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DTA114GKAT146CT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DTA114

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