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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTA124EUAT106

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Imagem DTA124EUAT106.

LAPIS Semiconductor

DTA124EUAT106

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTA124EUAT106
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTA124EUAT106.pdf
2.DTA124EUAT106.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

DTA124EUAT106DKR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

30mA
Número da peça base

DTA124

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