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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTB123EKFRAT146

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Imagem DTB123EKFRAT146.

LAPIS Semiconductor

DTB123EKFRAT146

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Disponível

3000+

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Especificações

Modelo do Produto

DTB123EKFRAT146
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTB123EKFRAT146.pdf
2.DTB123EKFRAT146.pdf
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased + Diode
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMT3
Série

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2)

2.2 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DTB123EKFRAT146TR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

39 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA

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