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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTC623TKT146

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Imagem DTC623TKT146.

LAPIS Semiconductor

DTC623TKT146

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTC623TKT146
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTC623TKT146.pdf
2.DTC623TKT146.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

20V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMT3
Série

-
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DTC623TKT146DKR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

150MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount SMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

820 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

600mA
Número da peça base

DTC623

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