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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTD113ZUT106

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Imagem DTD113ZUT106.

LAPIS Semiconductor

DTD113ZUT106

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30000+

$0.125

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTD113ZUT106
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTD113ZUT106.pdf
2.DTD113ZUT106.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

DTD113ZUT106-ND
DTD113ZUT106TR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA
Número da peça base

DTD113

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