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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > EM6J1T2R

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641439

Imagem EM6J1T2R.

LAPIS Semiconductor

EM6J1T2R

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

EM6J1T2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.EM6J1T2R.pdf
2.EM6J1T2R.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT6
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

EM6J1T2RTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

200mA
Número da peça base

*J1

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