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Imagem EMF24T2R.

LAPIS Semiconductor

EMF24T2R

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

EMF24T2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

EMF24T2R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT6
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz, 180MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA, 150mA

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