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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > IMB4AT110

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4193936

Imagem IMB4AT110.

LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IMB4AT110
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IMB4AT110.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMT6
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SC-74, SOT-457
Outros nomes

IMB4AT110CT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

MB4

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