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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > QH8KA1TCR

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47902

Imagem QH8KA1TCR.

LAPIS Semiconductor

QH8KA1TCR

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

QH8KA1TCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

30V NCH+NCH POWER MOSFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.QH8KA1TCR.pdf
2.QH8KA1TCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor

TSMT8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

73 mOhm @ 4.5A, 10V
Power - Max

2.4W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SMD, Flat Lead
Outros nomes

QH8KA1TCRTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

-
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.5A

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