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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > R6009ENX
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5012179Imagem R6009ENX.LAPIS Semiconductor

R6009ENX

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$3.17
10+
$2.866
100+
$2.303
500+
$1.791
1000+
$1.484
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    R6009ENX
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    R6009ENX.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220FM
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    535 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    40W (Tc)
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3 Full Pack
  • Outros nomes
    R6009ENXCT
    R6009ENXCT-ND
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    17 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

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Envio
Pagamento
O seguinte é "R6009ENX" produtos relacionados.
R60100-1STR

R60100-1STR

Descrição: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
RFQ
R60100-1STRM

R60100-1STRM

Descrição: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
RFQ
R6009-00

R6009-00

Descrição: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Fabricantes: Harwin
Disponível
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Descrição: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6010-00

R6010-00

Descrição: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

Fabricantes: Harwin
Disponível
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

Descrição: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

Descrição: GASKET

Fabricantes: Hammond Manufacturing
Disponível
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

Descrição: GASKET

Fabricantes: Hammond Manufacturing
Disponível
RFQ
R6009ENJTL

R6009ENJTL

Descrição: MOSFET N-CH 600V 9A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6008-00

R6008-00

Descrição: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Fabricantes: Harwin
Disponível
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

Descrição: GASKET

Fabricantes: Hammond Manufacturing
Disponível
RFQ
R60100-1CR

R60100-1CR

Descrição: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
RFQ
R60100-1COR

R60100-1COR

Descrição: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
RFQ
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