RF4E110GNTR

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Especificações

Modelo do Produto

RF4E110GNTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.RF4E110GNTR.pdf
2.RF4E110GNTR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

HUML2020L8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

11.3 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerUDFN
Outros nomes

RF4E110GNTRTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

504pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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