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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RQ1C065UNTR
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1407379Imagem RQ1C065UNTR.LAPIS Semiconductor

RQ1C065UNTR

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Disponível
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$0.226
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RQ1C065UNTR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1.RQ1C065UNTR.pdf
    2.RQ1C065UNTR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TSMT8
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Dissipação de energia (Max)
    700mW (Ta)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SMD, Flat Lead
  • Outros nomes
    RQ1C065UNTRTR
    RQ1C065UNTRTR-ND
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    870pF @ 10V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    1.5V, 4.5V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    20V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 20V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    6.5A (Ta)

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrição: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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